1．密勒定理
设
是跨接在双端口放大网络中的一个反馈阻抗，如图1(a)所示。密勒定理就是要解开输入～输出回路之间的耦合，将等效到输入和输出回路中， 如图1(b)所示。
图1(a)图1(b)
设放大电路的放大倍数是
，由图1(a)得：
据式（1）和式（2），将单向化处理后，在输入回路的的等效阻抗
和输出回路的等效阻抗
分别为：
当放大倍数远大于1时，
。反馈阻抗的单向化过程就是密勒等效变换，或称密勒定理。
2．双极型晶体管的高频等效模型
双极型晶体管的混合π模型如图2所示：
其中，
是晶体管基区体电阻，小功率器件的值在几十至几百欧之间。
是发射结电阻，与静态工作点相关，
。
是发射结电容。
是集电区体电阻，其值很小常忽略，
是集电结电阻，
是集电结电容。
是跨导，表示电压
对电流
的控制作用。忽略时，
，因而
。
是发射区体电阻，其值很小，可以忽略，
是集电结电阻。
阻值和通常很大，将它们开路后的简化混合π模型如图3所示。
设
，应用密勒定理将输入输出回路的反馈电容单向化处理后得图(a)，其中，
。当
时，忽略
电容的影响，模型可进一步简化成图(b)。
[例]已知晶体管2N2222A的工作点
，
，忽略
的影响，集电极负载
，试求其简化混合π模型。
[解]晶体管的混合π模型如图4(a)所示。其中，
，
发射结电容可由特征频率
推导，由
，得：
由图4(a)得
，应用密勒定理将反馈电容
单向化处理，
。忽略电容后的简化混合 模型如图4(b)所示。
3．场效应晶体管的高频模型
场效应晶体管的高频等效模型如图5。
图5
其等效参数的取值范围如表1。
表1 场效应晶体管高频模型中的参数
由图5得，
。应用Miller定理将反馈电容
单向化处理，
，单向化后得图6(a)。
当
时，可以忽略
的影响。一般情形下，
和
的阻值远大于与外围并接电阻，可近似开路，所以最终可得简化高频模型如图6(b)。
