晶体管的电流分配与放大作用

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晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压,可以达到控制集电极电流的目的。
晶体管的电流分配关系如下:

晶体管的电流分配与放大作用

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晶体管的电流分配与放大作用

其中电流放大系数晶体管的电流分配与放大作用晶体管的电流分配与放大作用之间的关系是晶体管的电流分配与放大作用=晶体管的电流分配与放大作用/(1+晶体管的电流分配与放大作用),晶体管的电流分配与放大作用=晶体管的电流分配与放大作用/(1-晶体管的电流分配与放大作用);ICBO 是集电结反向饱和电流,ICEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流,并且ICEO=(1+晶体管的电流分配与放大作用)ICBO
在放大电路中,通过改变UBE,改变IB或IE,由ΔIB或ΔIE产生ΔIC,再通过集电极电阻RC,把电流的控制作用转化为电压的控制作用,产生ΔUO=ΔICRC。实质上,这种控制作用就是放大作用。

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