场效应管与晶体管的比较

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(1)导电机理
场效应管利用多子导电,而晶体管则利用多子和少子导电。
(2)结构对称性
场效应管的结构具有对称性,如果绝缘栅型管的衬底在电路内部事先不与源极相连,场效应管的源极和漏极可以互换。而晶体管的结构不对称,集电极与发射极是不能互换的。
(3)控制方式
场效应管工作在放大状态时,漏极电流场效应管与晶体管的比较基本上只随栅源极间电压的变化而变化。所以,常称其为电压控制型器件。
晶体管工作在放大状态时,集电极电流场效应管与晶体管的比较基本上只随基极电流场效应管与晶体管的比较的变化而变化,习惯上称其为电流控制型器件。但基极电流场效应管与晶体管的比较又受基极与发射极间电压的控制,实质上仍然是电压控制型器件。
(4)直流输入电阻
场效应管的直流输入电阻大(结型:一般大于场效应管与晶体管的比较,绝缘栅型:一般大于场效应管与晶体管的比较);而晶体管直流输入电阻较小(发射结正偏)。
(5)稳定性及噪声
场效应管具有较好的温度稳定性、抗辐射性和低噪声性能;晶体管则受温度和辐射的影响较大,这些都与导电机理有关。
(6)放大能力
场效应管因跨导场效应管与晶体管的比较较小,而放大能力较弱;晶体管因电流放大系数场效应管与晶体管的比较较大而放大能力较强。
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