80C51单片机复位及复位电路

图2 80C51复位电路

上电复位是利用电容充电来实现的，即上电瞬间RST端的电位与V_CC相同，随着充电电流的减少，RST的电位逐渐下降。图2 (a)中的R是施密特触发器输入端的一

个10KΩ下拉电阻，时间常数为10×10^-6×10×10³=100ms。只要V_CC的上升时间不超过1ms，振荡器建立时间不超过10ms，这个时间常数足以保证完成复位操作。上电复位所需

的最短时间是振荡周期建立时间加上2个机器周期时间，在这个时间内RST的电平应维持高于施密特触发器的下阈值。

上电按键复位2（b）所示。当按下复位按键时，RST端产生高电平，使单片机复位。 复位后，其片内各寄存器状态见表，片内RAM内容不变。

表 复位后内部寄存器状态

　由于单片机内部的各个功能部件均受特殊功能寄存器控制，程序运行直接受程序计数器PC指挥。表中各寄存器复位时的状态决定了单片机内有关功能部件的初始状态。

另外，在复位有效期间（即高电平），80C51单片机的ALE引脚和 引脚均为高电平，且内部RAM不受复位的影响。