晶闸管是由四层半导体构成的，如图（b）所示。它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成，形成三个PN结。晶闸管的图形符号如图（c）所示。
图晶闸管外形、结构及图形符号
（a）外形封装 （b）内部结构 （c）图形符号
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晶闸管是在半导体二极管、三极管之后出现的一种新型的大功率半导体器件，它是一种可控制的硅整流元件，亦称可控硅。其外形、结构及图形符号如图所示，它有三个电极，即阳极A，阴极K，控制极（又称门极）G。根据功率的大小，具有TO92、TO220、螺栓形和平板形等多种封装形式，如图（a）所示。螺栓形带有螺栓的那一端是阳极A，它可与散热器固定，另一端的粗引线是阴极K，细线是控制极G ，这种结构更换方便，用于100A以下元件。平板形中间的金属环是控制极G ，离控制极远的一面是阳极A，近的一面是阴极K，这种结构散热效果比较好，用于200A以上的元件。
晶闸管是由四层半导体构成的，如图（b）所示。它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成，形成三个PN结。晶闸管的图形符号如图（c）所示。
晶闸管是由四层半导体构成的，如图（b）所示。它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成，形成三个PN结。晶闸管的图形符号如图（c）所示。
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