晶体三极管和场效应管的饱和区是两种完全不同的工作状态，只是共同沿用了“饱和区”的名词，同学们在学习这两种半导体器件时千万不能混淆。
场效应管工作在饱和区时，其条件除栅源电压要求大于开启电压VGS>VT外（对增强型管讲），还要求VGD<VT，即VDS>VGS－VT。此时，场效应管的沟道已被预夹断，沟道电阻几乎全部集中在预夹断处，沟道电流ID将由外加电源VDD和外加电阻RD以及夹断处电阻所决定。当电源电压增加时，预夹断处的长度与电源电压同步增加，其电阻也成同步增加。在Rd不变的条件下，表现出VDS增加时，漏极电流ID基本不变的恒流特性，这种现象也称饱和。可见，场效应管的饱满和区正是线性放大区，相当于晶体三极管的放大区。
晶体三极管饱和时，表现为Je和JC二个PN结都为正向偏置，即VBE≈0.7V，VCE<0.7V(指NPN硅管)，此时，晶体三极管失去了放大能力，C—E间压降很小。晶体三极管的这一工作区相当于场效应管的可变电阻区。
可见场效应管的饱和和晶体三极管的饱和是两个完全不同的物理概念，在学习放大电路时一定要分清楚。