图1所示为增强型N沟道场效应管的内部结构图，图中P型衬底上扩散了两个高浓度的N＋区，在器件表面生成一层SiO2绝缘层，并引出三个电极。
图1 增强型N沟道场效应管的内部结构和电路
学习场效应管的时候我们知道，当VGS电压大于开启电压VT后，在SiO2层下方两个高浓度N+区之间会感应生成电子层（由于该层载流子为电子，与衬底P的多子—空穴相反，所以也称反型层），即形成导电沟道。如果此时再加上VDD电压并逐渐增大，则靠近漏极端的VGD（=VGS－VDS）电压会逐渐减小，并趋向反向。因此，两个高浓度N+区间感应的电子层会在靠源极端厚，靠近漏极端簿的楔型形状，如图2所示。
图2 VGS-VDS=VGD>VT时的沟道（沟道尚未夹断的情况）
调节VDD，使VDS增加，当VGD=VT时，漏极端的感应电子层正好消失，这时的沟道称为预夹断。由于预夹断处沟道内电子无法停留，所以此时整个沟道的电阻几乎都集中在预夹断点上。此后，当VDS增加时，预夹断点将向源极延伸。在延伸的过程中，可以证明预夹断点延伸的长度Δ将和VDS的增加速率成正比。因此，在VDS≥VT的一个较大范围内，场效应管表现出其漏极电流基本不变的特性。
图3 VGS－VDS<VT沟道预夹断后的情况