表一 各类FET对偏置电压的要求
（1）自给栅偏压电路——只能用于耗尽型场效应管
（a）基本电路（b）直流通路
图1 场效应管自偏压电路
N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的自给栅偏压电路如图1（a）所示。其直流通路如图1（b）所示。因栅极电流IG≈0，静态时栅极直流电位VG=0，且耗尽型场效应管即使在VGS=0时也存在导电沟道，所以ID流过RS产生的直流压降VGS=VG-VS= -IDRS，正好作为偏置电压。注意这种电路只适用于耗尽型场效应管，而不适用于增强型场效应管。这是因为图E4a20231001Z 01中若N沟道耗尽型绝缘栅场效应管换成N沟道增强型绝缘栅场效应管，则因N沟道增强型绝缘栅场效应管要求VGS>0,而该电路不能提供正确的偏置条件，不适用于增强型场效应管。双极型三极管显然也不能采用这种偏置电路。
（2）分压式自偏压电路——适用于增强型场效应管
图2（a）是N沟道增强型场效应管构成的共源放大电路，静态偏置电路如图2（b）所示，称为分压式自偏压电路。
（a）基本电路（b）直流通路
图2 分压式自偏压电路
因为场效应管栅极电流近似为零，所以Rg3内无电流流过，静态时栅极电压为固定栅压：
而源极上的电压
为自给偏压，于是偏置电压为：
电路中
也可短接，不影响静态工作点，但加上可提高放大电路输入电阻。