![可编程只读存储器](/upload/hcom/20230612002620q1jttume0dw.gif)
图1是熔断丝结构的PROM基本存储单元示意图。出厂时所有的基本存储单元为1,即存储阵列中的熔丝都是通的。若用户通过大电流将当熔丝烧断,则该基本存储单元改写成为0。PROM的熔丝烧断不能再接上,因而只能编程一次,故称为一次编程型只读存储器。
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图1 熔断丝构成的 PROM基本存储单元 |
图2 PROM的阵列图 |
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图3 用PROM构成阶梯波发生器 | 图4 阶梯波 |
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图5 PROM编程阵列图 |
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图6中PROM包含了一个4/16线固定的“与”阵列地址译码器及一个16字×4位的可编程“或”存储阵列。
2.可改写型只读存储器(EPROM
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图7 EPROM2716管脚排列及功能说明 |
PROM只能一次编程,而可改写型只读存储器可多次擦除并重新写入新内容。最为典型的是紫外线擦除,在EPROM器件外壳上有透明的石英窗口,用紫外线(或X射线)照射,来完成擦除操作。
EPROM2716是一种常见的容量为2K(2048×8Bit)的可改写型只读存储器。图7是其外引线排列和功能说明。编程时,VPP接25V电源,片选信号端
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在实际设计的工业控制机等应用中,常常是RAM和EPROM(往往固化系统程序)一起使用,完成信息处理任务。如图8,采用1片EPROM2716和3片RAM6116将字数扩展8K存储器的接线图,图中4个芯片由2/4线译码器低电平有效输出端选择,各芯片所占据的地址范围和对应单元号见表2。
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图8 由1片EPROM2716和4片RAM6116组成的64K存储器 |
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3.电擦除型只读存储器(EEPROM
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EEPROM是在EPROM基础上发展而来的一种可以实现快速擦除只读存储器。它克服了EPROM对照射时间和照s度的技术要求及擦除的速度也比较慢的缺陷,所以这种擦除方式操作起来十分方便。EEPROM的内部“与”阵列和“或”阵列和EPROM相似,只是写入方式不同。