1.BJT工作在截止区或放大区,集电极电位总高于基极电位,这就避免了BJT因工作在饱和状态而产生的存储电荷问题。
2.逻辑电平的电压摆幅小,输入电压变化ΔV1≈1V(-1.85~-0.81V),集电极输出电压变化ΔVO≈0.85V(-1.75~-0.9V),高低电平的电压差值已经小到只能区分BJT的导通和截止两种状态。集电极输出电压的变化小,这不仅有利于电路的转换,而且可采用很小的集电极电阻Rc。因此,ECL门的负载电阻总是在几百欧的数量级,使输出回路的时间常数比一般饱和型电路小,有利于提高开关速度。
ECL门的速度快,常用于高速系统中。它的主要缺点是制造工艺要求高,功耗大,抗干扰能力弱。而且由于输出电压为负值,若与其他门电路接口,需用专门的电平位移电路。
双极型逻辑门电路除了TTL和ECL之外,尚有集成注入逻辑门电路(IIL或I2L)和高阀值逻辑门电路(HTL)。IIL电路由于它的电路简单,易于在硅片上实现高集成度的器件,因而在大规模和超大规模集成电路中得到应用。由于它的高、低电平电压差值很小,抗干扰能力较差,因而这种门电路的推广受到限制。至于HTL电路,虽然它有较强的抗干扰能力,但它的功耗大,开关速度也不高,已不生产,为CMOS电路所取代。
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