晶体管的特性除用特性曲线表示外，还可用一些数据来说明，这些数据就是晶体管的参数。晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。主要参数有下面几个：
1、电流放大系数β(—)，β
如上所述，当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流
与
基极电流
的比值称为共发射极静态电流(直流)放大系数
当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为
，它引起集电极电流的变化量为
。
与
的比值称为动态电流(交流)放大系数
例、从下图(即图)所给出得3DG100晶体管的输出特性曲线上，计算
点处的β(—)；(2)由
和
两点，计算β。
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解：
(1) 在
点处，
=6V，
=40μA=0.04mA ，
=1.5mA ，故
(2) 由
和
两点(
=6V)得
由以上可见，β(—)和β的含义是不同的，但在输出特性曲线近于平行等距并且
较小的情况下，两者数值较为接近。今后在估算时，常用
这个近似关系。常用晶体管的β值在20 ～200之间。
2、集－基极反向截止电流
是当发射极开路时流经集电结的反向电流，其值很小。在室温下，小功率锗管的
约为几微安到几十微安，小功率硅管在1μA以下。
越小越好。硅管在温度稳定性方面胜于锗管。
3、集－射极反向截止电流
是当基极开路(
)时的集电极电流，也称为穿透电流。硅管的
约为几微安，锗管的约为几十微安，其值越小越好。
4、集电极最大允许电流
集电极电流
超过一定值时，晶体管的β值要下降。当β值下降到正常数值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流
。因此，在使用晶体管时，
超过
并不一定会使晶体管损坏，但以降低β值为代价。
5、集－射极反向击穿电压
基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集－射极反向击穿电压
。当电压
大于
时，
-突然大幅度上升，说明晶体管已被击穿。
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| 图 晶体管的安全工作区 |
6、集电极最大允许耗散功率
由于集电极电流在流经集电结时将产生热量，使结温升高，从而会引起晶体管参数变化。当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率
。
有
，
，
三者共同确定晶体管的安全工作区，如图所示。
以上所讨论的几个参数，其中β，
，
是表明晶体管优劣的主要指标；
，
，
都是极限参数，用来说明晶体管的使用限制。