| （一）PN结的单向导电性 | ||||||||||||||||||||
| PN结具有单向导电性。外加正向电压时，空间电荷区变窄，流过一个较大的正向电流。外加反向电压时，空间电荷区变宽，流过一个很小的反向饱和电流。 | ||||||||||||||||||||
| （二）PN结的伏安特性 | ||||||||||||||||||||
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| PN结的伏安特性方程为: | ||||||||||||||||||||
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| ① U>0且U >>UT时 |  |
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| 即正向电流随正向电压的增大按指数规律迅速增大。 | ||||||||||||||||||||
| ② U<0且│U│>>UT时： |  |
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| 即加反向电压时，只流过很小的反向饱和电流。 | ||||||||||||||||||||
| (三）PN结的反向击穿 |  |
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| 反向击穿电压：发生击穿所需的反向电压UBR. PN结的反向击穿：当加到PN结上的反向电压增大到某个数值时，反向电流急剧增加。 特点：随着反向电流急剧增加，PN结的反向电压值增加很少。 |
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| （四）PN结的电容效应 | ||||||||||
| 1.势垒电容 | ||||||||||
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| PN结加正向电压，使空间电荷区变窄；PN结加反向电压，使空间电荷区变宽。 区间电荷随外加电压变化而增大或减小，形成了电容效应，称为势垒电容CB。 |
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| 2.扩散电容 | ||||||||||
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| 以 P 区为例：当外加电压增大时，非平衡少子浓度提高，曲线由1变为2；同理，外加电压减小时，非平衡少子浓度降低。这 | ||||||||||
| 样，扩散到两边的少子受外加电压大小控制，形成电容效应，称为扩散电容C。 | ||||||||||