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功率场效应晶体管的主要参数 (1) 漏源击穿电压UDS：决定了功率MOSFET的最高工作电压。 (2) 栅源击穿电压UGS ：表征功率MOSFET栅源之间能承受的最高电压。该参数很重要：因为人体常常带有高压静电，所以在接触MOS型器件，包括电力MOSFET、普通MOSFET、MOS型集成电路时，可以先用手接触一下接地的导体，将身体的... 2014-12-03 功率场效应晶体管的主要参数
