绝缘栅双极型晶体管擎住效应和安全工作区

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1．擎住效应如前所述，在IGBT管内存在一个由两个晶体管构成的寄生晶闸管，同时P基区内存在一个体区电阻Rbr，跨接在N+PN晶体管的基极与发射极之间，P基区的横向空穴电流会在其上产生压降，在J3结上形成一个正向偏置电压。若IGBT的集电极电流IC大到一定程度，这个Rbr上的电压足以使N+PN...