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场效应翻案在漏端预夹断后，为什么还有漏电？ 以Ｎ沟道增强型ＭＯＳ管为例来说明。当漏源之间接上+VDS时，从源-沟道-漏组成的Ｎ型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+VDS，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，逐渐升高。在沟道在不同位置上，沟道厚度不同，源端... 2015-01-03 场效应翻案在漏端预夹断后为什么还有漏电？
