在应用时,应根据不同场合的不同要求,选择不同类型的电力二极管性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的1. 普通二极管(General Purpose Diode)又称整流二极管(Rectifier Diode)多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中其反向恢复时间较长,一般在5s以上,这在开关频率不高时并不重要正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,分别可达数千安和数千伏以上2. 快恢复二极管(Fast Recovery Diode--FRD)恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(5s以下)的二极管,也简称快速二极管工艺上多采用了掺金措施有的采用PN结型结构有的采用改进的PiN结构采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管(Fast Recovery Epitaxial Diodes--FRED),其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右),但其反向耐压多在400V以下从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。
导读:目前正在解读《电力二极管的主要类型》的相关信息,《电力二极管的主要类型》是由用户自行发布的知识型内容!下面请观看由(电工学习网 - www.9pbb.com)用户发布《电力二极管的主要类型》的详细说明。
按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能,特别是反向恢复特性的不同介绍
在应用时,应根据不同场合的不同要求,选择不同类型的电力二极管性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的1. 普通二极管(General Purpose Diode)又称整流二极管(Rectifier Diode)多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中其反向恢复时间较长,一般在5s以上,这在开关频率不高时并不重要正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,分别可达数千安和数千伏以上2. 快恢复二极管(Fast Recovery Diode--FRD)恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(5s以下)的二极管,也简称快速二极管工艺上多采用了掺金措施有的采用PN结型结构有的采用改进的PiN结构采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管(Fast Recovery Epitaxial Diodes--FRED),其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右),但其反向耐压多在400V以下从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。
在应用时,应根据不同场合的不同要求,选择不同类型的电力二极管性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的1. 普通二极管(General Purpose Diode)又称整流二极管(Rectifier Diode)多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中其反向恢复时间较长,一般在5s以上,这在开关频率不高时并不重要正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,分别可达数千安和数千伏以上2. 快恢复二极管(Fast Recovery Diode--FRD)恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(5s以下)的二极管,也简称快速二极管工艺上多采用了掺金措施有的采用PN结型结构有的采用改进的PiN结构采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管(Fast Recovery Epitaxial Diodes--FRED),其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右),但其反向耐压多在400V以下从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。
提醒:《电力二极管的主要类型》最后刷新时间 2023-07-10 04:02:35,本站为公益型个人网站,仅供个人学习和记录信息,不进行任何商业性质的盈利。如果内容、图片资源失效或内容涉及侵权,请反馈至,我们会及时处理。本站只保证内容的可读性,无法保证真实性,《电力二极管的主要类型》该内容的真实性请自行鉴别。