（一） 结构和符号
在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根导线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。
三个电极分别叫做发射极e、基极b、集电极c，对应的每层半导体分别称为发射区、基区、集电区。发射区与基区交界处的PN结叫发射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电结。依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合型式。它们的基本结构如图（a）所示。
三极管的文字符号为"V"，图形符号如图（b）和（c）所示。两种符号的区别在于发射极箭头的方向不同，箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向。
图2是常见的几种国产三极管封装和外形。功率大小不同的三极管有着不同的体积和封装形式，在晶体管手册中有具体说明。
图1 体管晶体三极管的结构和符号
a) 结构 b) 符号 c) 大功率管
外壳集电极
早期生产的三极管有的采用玻璃封装；有些超小型三极管采用陶瓷环氧封装；绝大多数 大、中、小型三极管采用金属外壳封装；大功率晶体三极管管壳是集电极，通常作成扁平形状并有安装螺钉孔，有的大功率三极管的集电极制成螺栓形状，这样能使三极管和散热器连接一体便于散热。近年来越来越多的中、小功率三极管采用硅酮塑料封装。
三极管的制造工艺较多，图2-3和图2-4分别是用合金工艺和平面工艺制作的三极管结构示意图。不论哪种结构，都必须具有以下共同特点：
1. 发射区的掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
2. 基区都做得很薄（约几到几十微米），集电结面积制作得比发射结面积大。
由于在结构上有这些特点，三极管并不等于两个二极管的简单组合，也不能将发射极和集电极颠倒使用。
图2 几种晶体三极管的外形和封装
图3 合金法工艺制作的晶体三极管管芯
图4 平面工艺制作的晶体三极管管芯
（二） 类型
型号各种三极管都有自己的型号，按照国家标准GB249－74的规定，国产三极管的型号也是由五个部分组成。表2-1中第二、第三档所列的是三极管常见类型，对其含意需搞清楚。
2. 分类通常按以下几个方面进行分类：
（1） 依据制造材料的不同，三极管分为锗管与硅管两类。它们的特性大同小异。硅管受温度影响较小，工作较稳定，因此在通信设备上常用硅管。
（2） 依据三极管内部基本结构，分为NPN型和PNP型两类。目前我国生产的硅管多数是NPN型（也有少量PNP型），一般采用平面工艺制造。锗管多数是PNP型（也有少量NPN型），一般采用合金工艺制造。
（3） 依据工作频率不同，可分为高频管（工作频率等于或大于3兆赫）和低频管（工作频率低于3兆赫）。
（4） 依据用途的不同，分为普通放大三极管和开关三极管。
（5） 依据功率不同，分为小功率管（耗散功率＜1瓦＝和大功率管（耗散功率≥1瓦）。
表1 晶体三极管的型号
