场效应晶体管，简称场效应管。它的型号为3DJ、 3DO、 CS等后加序号和规格号表示。它的外形与普通三极管相似（如图），并兼有普通三极管体积小、耗电省等特点，但两者的控制特性却截然不同。普通三极管是通过控制基极电流来控制集电极电流的一种电流控制型器件，输入阻抗较低。而场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的一种电压控制型器件，图 几种场效应它具有输入阻抗高、热稳定性好、便于集成化等优点而得到广泛 管的外形
应用。
场效应管按导电机构不同，分结型场效应管和绝缘栅场效应管两种。下面我们主要讨论结型场效应管，并适当介绍绝缘栅场效应管。
1. 结型场效应管
如果采用某种方法来控制半导体导电区域的大小，从而使它的电阻发生改变，就能控制N型半导体中电流。我们知道，PN结内大多是不能移动的杂质离子，载流子很少，电阻率很高，当它加上反向电压时，PN结就会变宽。如果在N型半导体两侧制造两个PN结，改变反向电压的大小，就可改变PN结宽度，控制电子流通区域的大小，从而控制N型半导体中电流强弱。结型场效应管正是根据这一基本导电原理制成的。
2.绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管是指栅极和漏极、源极完全绝缘的场效应管，它的输入阻抗更高。目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS管，它也有N沟道和P沟道两类（分别叫作NMOS和PMOS），其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。