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晶体管有两个PN结:发射结和集电结,当工作频率很高时,结电容不能忽略,每个PN结都可以用一个结电阻和结电容并联来等效。按照晶体管的实际结构,考虑发射结和集电结电容后,可得如图1(a)所示的模型,常称为晶体管的物理模型。

物理模型中,如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?分别为集电区和发射区的体电阻,它们的数值很小,实际上可忽略不计。如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?为集电结的反偏电阻,如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?为三极管动态输出电阻,它们通常数值较大,可当作开路。于是可得到如图1 (b)所示的简化混合π模型。

简化混合π模型中,集电结电容如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?横跨在输入和输出两个回路之间,使电路分析很不方便。为此,可通过密勒定理将如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?折合到输入回路的等效电容如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?和输出回路中的等效电容如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?,如图1(c)所示。设如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?近似为中频时的电压放大倍数),可知,如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?为负值,且如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?。由密勒定理可得

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由于输出回路中的等效电容如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?容量很小,它与后面的负载所形成的时间常数也很小,工程计算时常常可忽略如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?。因此简化后的高频小信号模型如1 (d)所示,图中如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型?

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图1 三极管的高频小信号模型

(a) 物理模型 (b) 简化混合π模型 (c) 单向化处理 (d) 简化模型

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