场效应管与双极型晶体管相比:
(1)场效应管中,导电过程是多数载流子的漂移运动,故称为单极型晶体管;双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。
(2)场效应管是通过栅极电压uGS来控制漏极电流iD,称为电压控制器件;双极型晶体管是利用基极电流iB(或射极电流iE)来控制集电极电流iC,称为电流控制器件。
(3)场效应管的输入电阻很大;晶体管的输入电阻较小。
(4)场效应管的跨导gm的值较小,双极型晶体管的β值很大。在同等条件下,场效应管的放大能力不如晶体管高。
(5)结型场效应管的漏极和源极可以互换使用,MOS管如果衬底没有和源极接在一起,也可将d、s极互换使用;双级型晶体管的c和e极互换则称为倒置工作状态,此时β将变得非常小。
(6)场效应管可作为压控电阻使用。
(7)场效应管是依靠多子导电,因此具有较好的温度稳定性、抗辐射性和较低的噪声。
场效应管还有一些缺点:如功率小,速度慢等。但由于它工艺简单,易于集成,故广泛应用于集成电路。
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