由于PN结结电容（CB和CD）的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响。PN结高频等效电路如下图所示，图中r表示电阻，C为结电容，它包括势垒电容和扩散电容。C的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，数值很小，而结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大，结电容较小（主要决定于势垒电容CB）。
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