二极管折线模型如图(a)所示。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V（硅管）。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下：
由于二极管特性的分散性，Vth和rD的值不是固定不变的。
二极管的折线模型
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为了较真实地描述二极管V-I 特性，二极管折线模型是在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加。所以，在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。
二极管折线模型如图(a)所示。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V（硅管）。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下：
二极管折线模型如图(a)所示。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V（硅管）。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下：
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