共基放大电路的高频响应

根据如图（a)所示的共基电路交流通路，可画出其高频小信号等效电路如图（b)所示。首先，我们来考察BJT电容C_b¢e和C_b¢c以及负载电容C_L对高频响应的影响。

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(a) 交流通路	(b) 高频小信号等效电路

一、C_b¢e的影响

由共基电路高频小信号等效电路可见，如果忽略r_bb¢的影响，则C_b¢e直接接于输入端，输入电容C_i=C_b¢e，不存在密勒倍增效应，且与C_b¢c无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多，f_H1很高。理论分析的结果 。

二、C_b¢c以及负载电容C_L的影响

如果忽略r_bb¢的影响，则C_b¢c直接接到输出端，也不存在密勒倍增效应。输出端总电容C_b¢c+ C_L，输出回路时间常数为 ，该输出回路决定的f_H2为

如果 和C_L较大，则f_H2较低。所以说，共基电路与共射电路一样，承受容性负载的能力较差，负载电容C_L将成为制约共基电路高频响应的主要因素。而对于纯阻负载，共基电路的高频特性将非常好。