N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数

1．特性曲线和电流方程

N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时i_D几乎不随v_DS而变化,即不同的v_DS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用v_DS大于某一数值(v_DS＞v_GS-V_T)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线,与结型场效应管相类似。在饱和区内,i_D与v_GS的近似关系式为

<?XML:NAMESPACE PREFIX = V /><?XML:NAMESPACE PREFIX = O /> ( v_GS＞V_T )

式中I_DO是v_GS=2V_T时的漏极电流i_D。

2. 参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压V_P，而用开启电压V_T表征管子的特性。