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MOS管就像开关。栅极(G)决定源极(S)到漏极(D)是通还是不通。以NMOS为例,图1中绿色代表(N型)富电子区域,黄色代表(P型)富空穴区域。P型和N型交界处会有一层耗尽层分隔(也叫空间电荷区,如图中白色分界所示)。VT是开关的阈值,超过阈值就开,低于阈值就开不了。栅电压越大,下面感应出来的电子越多,形成的沟道越宽。栅与沟道之间有氧化层隔离。在源漏没有电压时沟道宽窄是一样的,这很好理解。
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