BJT：电流型全控器件；正持续基极电流控制开通，基极电流为0则关断；开关频率适中；双极；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率低。
SCR：电流型半控器件；正脉冲门极电流控制开通，触发信号不能控制开断；开关频率低；双极；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率低。
GTO：电流型全控器件；正脉冲门极电流控制开通，负脉冲门极电流（较大）控制关断；开关频率低；双极；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率低。
P-MOSFET：电压型全控器件；正持续栅极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断；开关频率高；单极；主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；主要缺点：通态压降大（通态损耗大），电流、电压额定低。
IGBT：电压型全控器件；正持续栅极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断；开关频率较高；双极；主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。
MCT：电压型全控器件；正脉冲电压控制开通，负脉冲电压控制关断；开关频率较高（低于IGBT）；双极；主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。
SIT：电压型全控器件；持续电压控制断、通；开关频率高；单极；主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。
