双向可控硅的十条黄金规则

1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧ IL .这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。
　　2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时 间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。
　　3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-,+）。
　　4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若 用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1k倩蚋 8咂蹬月?a href="https://www.ippipp.com/wenku/rd/dianrong/" target="_blank" class="relatedlink">电容和门极间串接电阻硪唤饩霭旆ǎ∮肏系列低灵敏度双向可控硅。
　　5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。 若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几mH的电感和负载串联。 另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。
　　6. 假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下 列措施之一： 负载上串联电感量为几霩的不饱和电感，以限制dIT/dt; 用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。
　　7. 选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的 dIT/dt承受能力。
　　8. 若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上最好串联一个几霩的无铁芯电感 或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
　　9. 器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把 铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
　　10. 为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于Tjmax ,其值相应于可能的 最高环境温度。