晶体三极管的主要参数

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1.电流放大系数
当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数 晶体三极管的主要参数 晶体管工作在动态(有输入信号)时,基极电流的变化量为△IB ,它引起集电极电流的变化量为△IC 。△IC 与△IB的比值称为动态电流(交流)放大系数 晶体三极管的主要参数 在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,可近似认为晶体三极管的主要参数,但二者含义不同。
2.集—基极反向截止电流 ICBO
ICBO 是当发射极开路时流经集电结的反向电流,其值很小。
3.集—射极反向截止电流 ICEO
ICEO 是当基极开路(IB = 0)时的集电极电流,也称为穿透电流,其值越小越好。
4.集电极最大允许电流ICM
晶体三极管的主要参数值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流,称为集电极最大允许电流 ICM。
5.集—射反相击穿电压 U(BR)CEO
基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,称为集—射反相击穿电压 U(BR)CEO。
6. 集电极最大允许耗散功率PCM
当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时,集电极所消耗的最大功率,称为集电极最大允许耗散功率 PCM。 晶体三极管的主要参数

由ICM、U(BR)CEO、PCM三者共同确定晶体管的安全工作区。

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