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| 图1 RAM的结构框图 |
一、存储阵列
RAM的存储阵列由许多基本存储单元构成，每个基本存储单元存放一位二进制数码（1或0）。基本存储单元若采用双稳态触发器结构，则形成静态RAM（SRAM）；若采用动态的MOS基本存储单元或电容充放电原理构造基本存储单元，则形成动态RAM（DRAM）。RAM存储的数据不是象ROM那样预先固定的，而是取决于外部输入情况。
二、址译码器
采用最小项译码器（N取1译码器），对于任一种地址代码An-1…A1A0组合情况均对应着一条字线（字长可另行定义）。当某条字线被选中时，通过读/写控制电路可对相应的字单元实现读/写操作。
三、与读/写控制电路
单片RAM芯片存储容量总归有限，在数字系统中的RAM往往由多片组成，而系统每次访问存储器时，只能对其中的一片（或几片）。为此在每片RAM上均设有片选端
。当 =0时则本片选中，而当=1时本片的I/O端呈高阻态不工作，故未选中。在本片选中前提下，当读/写控制端
=1时，可执行“读”操作，RAM将存储阵列中的被选中的字单元内容送到I/O端上；当读/写控制端 =0时，执行“写”操作，RAM将I/O端上输入数据送到存储阵列中的被选中的字单元存起来。由于同一时间不能对RAM芯片又读又写操作，故输入线和输出线可合用一条双向数据线（I/O）。