N沟道增强型绝缘栅型场效应管

N沟道增强型绝缘栅型场效应管是以一块杂质浓度较低的P型半导体作衬底，在它上面扩散两个高浓度的N型区，各自引出一个为源极S和漏极D，在漏极和源极之间有一层绝缘层（<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www.w3.org/1998/Math/MathML" /> Si O 2 ），在绝缘层上覆盖有铝做为栅极G，其结构和符号如图1所示。

如图2所示，当 U GS =0，在DS间加上电压 U DS 时，漏极D和衬底之间的PN结处于反向偏置状态，不存在导电沟道，故DS之间的电流 I D =0。当 U GS 逐渐加大达到某一值（开启电压 U T ）时，由于电场的作用，栅极G与衬底之间将形成一个N型薄层，其导电类型与P型衬底相反，称为反型层。由于这个反型层的存在使得DS之间存在一个导电沟道， I D 开始出现，而且沟道的宽度随 U GS 的继续增大而增大，所以称为增强型场效应管。它的特点是：当 U GS =0， I D =0； U GS ＞ U T ， I D ＞0。

可见增强型绝缘栅场效应管的漏极电流 I D 是受栅极电压 U GS 控制的，它与结型场效应管一样是电压控制型器件，所不同的是它必须在为 U GS 正且大于 U T 时才能工作。