二极管的单向导电性是二极管的基本特点。二极管还有另外的一些特性，其中有些特性是我们掌握电子电路工作而必须了解的知识。
电子器件的特性可以用几种方法来描述，其一：对应几个不同电压值的电流值进行列表。这些值都将在表中很清楚的表示出来。还有更好的方法就是使用图示的方法，它比数据表格更直观。
用得最为频繁的就是伏-安特性曲线。电压为横轴，电流为纵轴。图8-19表示出了100Ω电阻的伏-安特性曲线，原点是两轴线的交点，在这点，电压和电流的值都是零，即通过电阻的电压值和电流值都是零，由欧姆定律有：
I=
=
=0A
在横轴为5V 处，曲线经过的点对应纵轴为50mA，通过观察曲线，很容易的找到相应电压的电流值。例如在10V处电流为100 mA可以用欧姆定律验证：
I==
=0.1A=100mA
在图8-19中，通过反向延长线，我们可以获得反向电压对应的电流值。反向电压表示为VR而VF就表示正向电压。电压为-5V时，通过电阻的电流为-50mA 负号表示加在电阻两端的电压极性是反向的，因此电流也是反向的。正向电流用IF 表示，而反向电流用IR 表示。
电阻的特性曲线是一条直线，因此，它是一个线性器件。对电阻器特性曲线并不是必须的，我们可以通过欧姆定律很容易的得到任何点的数据。
例8-4
图8-19中若电阻值是50Ω，特性曲线是怎样的？
I==
=200mA
曲线将是一条过（0，0），（10，200），（-10，-200）的直线。因此50Ω的电阻对应的曲线的斜率将比100Ω的电阻对应的曲线斜率要大。
二极管比电阻复杂得多，它特性曲线不能通过简单的线性方程得到。
数学上可以用下式近似表达成：
当UD ≥100mV时，近似为：
其中IS称反向饱和电流，UD为二极管端电压，T 为绝对温度,，k 是玻尔兹曼常数（8.63×10-5eV/K=1.38×10-23J/K,J为焦耳，式中e电子电荷1.6×10－19库仑），q是电子电荷数。
通常二极管的电流也写成
，其中
，称为热电压（Thermal Voltage）单位为伏。室温即T=300K时
，这是一个重要的数值，今后会经常用到它。
图8-20给出了典型PN-结型二极管的特性曲线。注意，它并不是线性的，电压为零时，它不导通，直到有零点几伏的电压才能够开始导通，这个电压是用来抵消耗尽区的。通常锗管导通要0.2V ，硅管导通要0.6V。图8-20中也表明二极管加反向电压时的情况，随着反向电压的增大，将有少量的反向电流产生，它是由少数载流子产生的漏电流，通常情况下是很小的。一般IR 轴以μA 作为单位，除非有很大的电压加在二极管两端，否则反向电流就没有什么实际意义了。因此，通常VR轴以10V 或100V作为一个单位。
图8-21比较了硅管和锗管的特性曲线，我们很清楚看到，锗管导通需要比较小的正向电压，这也是它在低压电路时的优点。另外，可以看到，较硅管而言，给定任何电流，它的电压降较小。由于锗是一种较好的导体，所以流过正向电流时有较小的电阻。但是由于硅管的低价格和低漏电流，大多数情况下使用硅管。
图8-21同样也对硅管和锗管在反偏压情况下进行了比较，在合理的VR时，硅管的漏电流非常低，通常小于10－9A，而锗管表现了较大的漏电流，可以达到微安级，但是若超过VR的临界值，硅管的反向电流会有一个迅猛的变化，这就是反向击穿电压点。也被称为雪崩电压。当载流子被加速并获得足够的能量与价电子碰撞，并使他们释放，使得载流子产生“雪崩”。引起反向电流极大的增加。
硅管的雪崩电压为50V-1000V，取决于制造工艺。如果反向电流在击穿电压下得不到限制，二极管就会毁坏。通过使用一个可承受安全电压的二极管。可以避免产生雪崩。
图8-22给出了利用二极管的V-A特性曲线观察温度对二极管的影响。温度用℃表示，电路正常工作的温度范围可以是-50℃到100℃。在底端水银会凝固，而高端即沸水的温度。军用的电路温度范围是-65℃到125℃。由于这个温度范围很大，因此在材料的选择、产品的制作过程和测试都必须格外小心。故军用级的器件比一般的工业和商业产品要贵得多。
通过观察8-22的曲线，我们可以得出结论，提高温度，硅的导电性变好。由于随着温度的增加，正向压降会减小，它的阻抗也会因此而减小。这一点与硅的负温度效应相吻合。
