场效应（晶体）管，是一种利用场效应原理工作的半导体器件。场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功率小、易于集成等特点。场效应管一般具有3个极，其中G为栅极，S为源极，D为漏极，场效应管的S极和D极是对称的，在实际使用中可以互换。场效应管是电压控制器件，即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化，从而达到放大等目的。场效应管一般在电路中被用于放大、调制、阻抗变换、恒流源、可变电阻等场合。如图1所示。
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| 图1 主板的电源场效应管 | 图2 场效应管分类 |
◆场效应管分类：
按结构来划分可分为结型场效应三极管（JFET）和绝缘栅型场效应三极管（IGFET或MOSFET）两大类。结型场效应管有N沟道和P沟道管；绝缘栅型场效应管分为增强型N沟道、P沟道管，耗尽型N沟道、P沟道管，如图2所示。
◆场效应管的主要参数：以N沟道增强型MOS管来说明它的主要参数。
◇直流参数：开启电压是在衬底半导体表面感生出导电沟道所需的栅源电压。直流输入电阻是在漏、源极间电压为零的条件下，栅极与源极之间加一定直流电压时，栅、源极间的直流电阻。
◇交流参数：跨导（或称互导）是指当漏、源极间电压一定时，漏极电流变化量与引起这一变化的栅源电压变化量之比。
◇场效应管的电极之间存在着极间电容：栅、源极间电容和栅、漏极间电容，它们是影响高频性能的交流参数，应越小越好。一般管子为几皮法。
◇极限参数：漏极最大允许电流是指场效应管工作时，允许的最大漏极电流。漏极最大耗散功率是管子允许的最大耗散功率，相当于双极型晶体管的PCM，根据这个参数也可以在输出特性上画出功率损耗线。
◇栅、源极间击穿电压是指在漏、源极间电压为零时，栅、源极间绝缘层发生击穿，产生很大的短路电流所需的值。漏、源极间击穿电压是指在漏、源极间电压增大时，使漏极电流开始急剧增加时的值。此时，不仅感生沟道中的电子参与导电，空间电荷区（即PN结）发生击穿，使电流增大。
场效应管的识别一是通过晶体三极管的G极、D极和S极三极识别；二是通过万用表测量识别；三是根据型号识别。