场效应晶体管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制半导体中的多数载流子,使流过半导体内的电流大小随电场强弱而变化,形成电压控制其导电的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
较广泛应用的是以二氧化硅(SiO2)作为金属(铝)栅极和半导体之间的绝缘层结构的场效应晶体管,简称MOS管。现把场效应管与晶体管的特点,列表对比如下:
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