场效应管的单电源直流偏置电路有两种: | ||||||||||||||||||||
1. 只能用于结型和耗尽型MOS管的自给偏置电路; 2. 可用于各种场效应管的分压式偏置电路。 |
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1.自给偏压电路 | ||||||||||||||||||||
(1)图解法 | ||||||||||||||||||||
根据图中电路的输出回路列出直流负载线方程: | ||||||||||||||||||||
再根据输入回路列出直流负载线方程: | ||||||||||||||||||||
(2)计算法(列方程组求解) | ||||||||||||||||||||
式中的IDSS和UP可以从特性曲线上求出,或者从产品手册上查到。 | ||||||||||||||||||||
自给偏置电压的缺点是: | ||||||||||||||||||||
当为提高稳定工作点的能力而增大Rs时,IDQ减小,(Q下移),使gm和Au随之减少。 | ||||||||||||||||||||
2.分压式自偏压电路 | ||||||||||||||||||||
将转移特性的近似函数式与根据电路列出的直流电压方程联立,就可求解静态工作点。 | ||||||||||||||||||||
分压式自偏压电路可通过调整电阻分压比来改善静态工作点 |
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