图1图2
根据结构不同,BJT一般可分成两种类型:NPN型和PNP型。NPN型BJT结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图3所示。半导体的三个区域分别称为发射区、基区和集电区;三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c;发射区与基区间的PN结称为发射结,基区与集电区间的PN结称为集电结。
图3
BJT的结构特点
发射区:杂质浓度很高;基区:很薄且杂质浓度很低;集电区:面积很大。
图4是PNP型BJT结构示意图和符号。
图4
图1图2
根据结构不同,BJT一般可分成两种类型:NPN型和PNP型。NPN型BJT结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图3所示。半导体的三个区域分别称为发射区、基区和集电区;三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c;发射区与基区间的PN结称为发射结,基区与集电区间的PN结称为集电结。
图3
BJT的结构特点
发射区:杂质浓度很高;基区:很薄且杂质浓度很低;集电区:面积很大。
图4是PNP型BJT结构示意图和符号。
图4