NPN型硅BJT的输出特性如图所示。由图可见，在输出特性的起始部分曲线很陡,当vCE超过某一数值（约1V）后，特性曲线变得比较平坦，且间隔基本均匀。输出特性是形状基本相同的曲线族。
在输出特性的起始部分曲线很陡，vCE略有增加时，iC增加很快，这是由于在vCE很小时（约1V以下），集电结的反向电压很小，对到达基区的电子吸引力不够，这时iC受vCE的影响很大。vCE稍有增加，iC随vCE的增加而增加。
当vCE超过某一数值（约1V）后，特性曲线变得比较平坦。这是由于vCE大于1V以后，集电结的电场已足够强，它能将发射区扩散到基区的电子几乎都收集到集电区，故vCE再增加，iC就增加不多了,曲线变的平坦。
改变iB的值，即可得到一组输出特性曲线。由式iC=biB可知，在vCE大于零点几伏以后，输出特性是一组间隔基本均匀，比较平坦的平行直线。