温度对放大电路工作点的影响

3. 温度变化对b 的影响

温度每升高1 °C ， b 要增加0.5%~1.0%。

归纳

1. I_CBO、b、V_BE随温度T升高的结果，都集中表现在Q点电流I_C的增大。

2. 硅管的I_CBO小，温度的变化主要考虑对V_BE和b的影响。

3. 锗管的I_CBO大，I_CBO的温度影响对锗管是主要的。

合理设置Q点对放大电路来说是很重要的，它不仅关系到是否会产生失真，而且对电压增益也有较大影响。所以在设计或调试放大电路时，首先要设置一个合适的Q点。

在固定偏流电路中，当电源电压V_CC和集电极电阻R_c确定后，放大电路Q点的基极电流I_B也就被固定了。该电路结构简单，调试方便，只要适当选择电路参数就可保证Q点处于合适的位置。但是，由于这种电路偏流是“固定”的（I_B»V_CC/R_b），当更换管子或是环境温度变化引起管子参数变化时，电路的工作点往往会移动，甚至移到不合适的位置而使放大电路无法正常工作，为此必须设计能够自动调整工作点位置的偏置电路，以使工作点能稳定在合适的位置。

影响工作点不稳定的因素很多，例如电源电压变化，电路参数变化，管子老化等，但主要的因素还是由于BJT的性能参数（I_CBO、V_BE、b等）随温度的变化而变化。当温度变化时，管子内部载流子（电子和空穴）的运动受到影响，使I_CBO、V_BE和b 都会发生变化。

对于硅管而言，尽管上述三个参数均随温度变化，但其中I_CBO的值很小，对工作点稳定性的影响较小。硅管的V_BE和b受温度的影响较大，大多数管子（包括硅管和锗管）的V_BE的温度系数为–2.2mV/℃。V_BE的变化将通过I_B的变化影响Q点。

BJT的电流放大系数b会随温度的升高而增大，这是因为温度升高后，加快了基区注入载流子的扩散速度，这样，在基区电子与空穴的复合数目减小，因而b增大。根据实验结果，温度每升高1℃，b要增加0.5%~1.0%左右。

当b变大时， BJT的输出特性将因b的变化而随之变化，曲线族的间隔将变宽。当b增大使输出特性变化时，Q点会上移，I_C增加；当b减小时，Q点下移，I_C减小，这样变化的结果都造成了BJT的静态工作点的不稳定。