硅稳压二极管稳压电路的原理

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硅稳压二极管稳压电路的电路图如图所示。它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的,由于反向特性陡直,较大的电流变化,只会引起较小的电压变化。
硅稳压二极管稳压电路的原理
图 硅稳压二极管稳压电路

⑴. 当输入电压变化时如何稳压
根据电路图可知
硅稳压二极管稳压电路的原理
硅稳压二极管稳压电路的原理
输入电压VI的增加,必然引起VO的增加,即VZ增加,从而使IZ增加,IR增加,使VR增加,从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下:
硅稳压二极管稳压电路的原理

这里VO减小应理解为,由于输入电压VI的增加,在稳压二极管的调节下,使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的,这是一个有差调节系统。
⑵. 当负载电流变化时如何稳压
负载电流IO的增加,必然引起IR的增加,即VR增加,从而使VZVO减小,IZ减小。IZ的减小必然使IR减小,VR减小,从而使输出电压=VO增加。这一稳压过程可概括如下:
硅稳压二极管稳压电路的原理

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