设导体表面外附近空间有一点P处的场强为
，该点附近表面上的电荷面密度为
。过P作一圆柱面为高斯面，通过高斯面的电通量为
因为导体内部场强处处为零，导体表面附近的场强处处与表面垂直，所以
由此可得，导体表面外附近一点场强的大小为
写成矢量式，得
可见，导体表面电荷面密度大的地方场强大，电荷面密度小的地方场强小。
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静电平衡时，导体周围场强分布的特点是：导体表面附近的场强方向处处于表面垂直，大小于该处导体表面的电荷面密度成正比，关系式为
设导体表面外附近空间有一点P处的场强为，该点附近表面上的电荷面密度为。过P作一圆柱面为高斯面，通过高斯面的电通量为
设导体表面外附近空间有一点P处的场强为
，该点附近表面上的电荷面密度为。过P作一圆柱面为高斯面，通过高斯面的电通量为
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