1.结构上:
√发射区掺杂浓度高于集电区;
―使用时,发射极和集电极不能互换。
√基区较薄(只有几微米),掺入杂质浓度低。
√集电结的面积应很大。
2.电路中:√保证 为了说明三极管的电流分配与放大作用,我们先看下面的实验,实验电路如图所示。电源UCC和UBB为满足“ ”这两个外部放大条件而设置的。
![三极管的电流分配与放大作用](/upload/hcom/20230611154506bc0hxzc5by4.gif)
表1 实验数据
IB/mA |
0 |
0.02 |
0.04 |
0.06 |
0.08 |
IC/mA |
<0.001 |
1.00 |
2.50 |
4.00 |
5.50 |
IE/mA |
<0.001 |
1.02 |
2.54 |
4.06 |
5.58 |
① IE = IB + IC 满足基尔霍夫电流定律,可以把三极管看成一个广义结点。
![三极管的电流分配与放大作用](/upload/hcom/20230611154506e5davzijdwu.gif)
由于IC是随IB的变化而变化的,而且两者之间在一定范围内保持一定的比例关系,体现了三极管对电流的控制作用。
定义电流放大倍数:
![三极管的电流分配与放大作用](/upload/hcom/20230611154506aqhjc3nqc2z.gif)
![三极管的电流分配与放大作用](/upload/hcom/202306111545062pvlpuuxy0h.gif)
![三极管的电流分配与放大作用](/upload/hcom/20230611154506gxn5lupbzfe.gif)
一般在工程估算中,可以认为
![三极管的电流分配与放大作用](/upload/hcom/202306111545062trulzv5is4.gif)
电流放大系数反映了三极管的电流放大能力,或者说是IB对IC的控制能力。
IE = IB + IC =(1+β)IB