当二极管加反向电压的时候，二极管中就流过反向电流。这个电流很小，反向电压，电流微微增加，达到反向饱和电流时，不再随电压增加而增大。反向电压过大，二极管击穿后，反向电流急剧增加，如果不采取措施就会烧毁二极管。需要说明的是稳压二极管工作在反向击穿区。
反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。
在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压，系统中的电流以相反的方向运行；从输出到输入。幸运的是，有很多方法可以保护你的系统不受反向电流的影响。这是反向电流保护系列博文的第一篇文章，在这篇文章中，你将能够对现有解决方案有高层次的总体认识和了解。
原因
反向电流的最常见原因，即反向偏置电压，就是输出上的电压要高于输入上的电压，从而使电流在系统中的流动方向与你希望的流动方向相反。图1中显示了这个情况。
图1：反向电流
VIN 由于功率损耗突然变为零，使得系统输出上的电压高于输入电压，这种情况是有可能发生的。或者是电源MUXing意外地导致了一个反向电压事件。
如何防止？
反向电流有可能损坏内部电路和电池等电源。事实上，甚至是电缆都有可能被损坏，连接器的性能也会被降低。这也是器件着火的原因，就是因为大电流导致功率耗散呈指数级别的上升。
保护功能需要将反向电流保持在非常低的水平上。这意味着对于反向电压的限制。有三种常用的方法可以防止反向电流：设计一个使用二极管、FET或负载开关的系统。
二极管
二极管与FET相比，它的成本更低，更易于集成。它们非常适合于高压、低电流应用。然而，如果你曾经使用过二极管的话，你一定非常熟悉它所导致的正向压降，而这会缩短电池使用寿命，并且使VCC（通常情况下）大约下降0.6-0.8V。这个压降会降低电源电路的效率，并且增加系统的总体功率耗散。
基于这些原因，肖特基二极管是常见的替代器件；它们的正向压降更低。不过，它们也更加昂贵，且具有更高的反向电流泄露，而这会导致系统问题。图2显示的是系统中的一个用来阻断反向电流的二极管。
图2：二极管反向电流保护
FET
由于其低正向电压和高电流处理能力，FET会在你必须保持较低功率耗散时提供帮助。对于一个放置在接地路径中的N类型金属氧化物半导体 （NMOS） FET来说，你使体二极管的方向与正常电流流向保持一致。通过使用这种方法，如果有人错误地安装了电池，栅极电压为低电平，这就防止了FET接通。然而，当电池安装正确时，栅极电压为高电平，它的通道短接至地。
为了在FET关闭时阻断两个方向上的电流，你还可以将FET背靠背连接。与二极管解决方案相比，电源到负载的压降更低，不过这种实现方式占用了大量的电路板面积。图3显示了用来阻断反向电流的背靠背FET示例。
图3：用双FET实现的反向电流阻断
负载开关
TI负载开关是用来接通和关闭电源轨的集成电子中继器。大多数基本负载开关采用小型集成封装，由四个引脚组成：输入电压、输出电压、使能、和接地，并且包含多重特性，其中有反向电流保护。图4显示了一个用来阻断反向电流的负载开关。
图4：负载开关反向电流保护
例如，德州仪器 （TI） 的TPS22963 3A负载开关集成了反向电流保护以及更多其它功能，这些功能全都包含在一个1.4mm x .9mm的封装内。图5显示的是TPS22963在系统中的常见放置位置。
图5：TPS22963负载开关
有数个原因会导致反向电流，VIN的突然损耗，或者是电源MUXing中的突发事件。这会导致系统损坏，甚至会损坏电源。TI负载开关可以成为管理反向电流的一个尺寸、成本都很合适的解决方案。